隨著半導(dǎo)體制程向更精密化發(fā)展，傳統(tǒng)熱流儀逐漸暴露出諸多短板，難以滿足行業(yè)升級(jí)需求，而冠亞恒溫?zé)崃鲀x憑借核心技術(shù)突破，針對(duì)性解決行業(yè)痛點(diǎn)，推動(dòng)半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)升級(jí)。

痛點(diǎn)一：溫變速率慢，測(cè)試效率低

常規(guī)熱流儀溫變速率有限，無(wú)法快速捕捉芯片在溫度瞬變時(shí)的電參數(shù)變化，導(dǎo)致測(cè)試周期過(guò)長(zhǎng)，難以適配大規(guī)模芯片量產(chǎn)測(cè)試需求，尤其在快速溫變測(cè)試場(chǎng)景中，效率短板更為突出。

冠亞優(yōu)勢(shì)：冠亞恒溫?zé)崃鲀x實(shí)現(xiàn)150℃ ~ -55℃溫變時(shí)間＜10秒，通過(guò)優(yōu)化的氣流脈沖技術(shù)與雙區(qū)獨(dú)立控溫設(shè)計(jì)，大幅提升溫變響應(yīng)速度，縮短測(cè)試周期，適配量產(chǎn)測(cè)試的需求。

痛點(diǎn)二：溫度精度不足，導(dǎo)致測(cè)試數(shù)據(jù)失真

傳統(tǒng)熱流儀多僅控制出風(fēng)口溫度，忽略了芯片自身發(fā)熱、環(huán)境散熱等因素影響，導(dǎo)致出風(fēng)口溫度與實(shí)際芯片結(jié)溫存在較大差異，測(cè)試數(shù)據(jù)失真，無(wú)法為芯片可靠性分析提供準(zhǔn)確依據(jù)。

冠亞優(yōu)勢(shì)：冠亞恒溫?zé)崃鲀x采用實(shí)時(shí)監(jiān)控被測(cè)IC真實(shí)溫度的閉環(huán)反饋系統(tǒng)，可動(dòng)態(tài)調(diào)整氣體溫度，確保芯片結(jié)溫準(zhǔn)確控制在目標(biāo)值，精度可達(dá)±0.5℃以內(nèi)，其中熱流儀出口溫度穩(wěn)態(tài)精度有效避免測(cè)試數(shù)據(jù)失真，為芯片測(cè)試提供可靠保障，契合半導(dǎo)體測(cè)試對(duì)精度的嚴(yán)苛要求。

痛點(diǎn)三：大功率芯片散熱測(cè)試難

隨著AI、高性能計(jì)算等領(lǐng)域的發(fā)展，高功耗芯片日益增多，此類芯片在測(cè)試過(guò)程中自身發(fā)熱量大，普通熱流儀無(wú)法維持恒定測(cè)試環(huán)境，導(dǎo)致測(cè)試數(shù)據(jù)波動(dòng)，難以完成大功率芯片的可靠性測(cè)試。

冠亞優(yōu)勢(shì)：冠亞恒溫提供可定制的100m3/h大流量氣體沖擊測(cè)試機(jī)，也就是芯片氣體沖擊熱流儀，能夠快速帶走芯片自身產(chǎn)生的熱量，滿足超大測(cè)試功率需求，確保高功耗器件測(cè)試過(guò)程中的溫度穩(wěn)定性，適配IGBT、AI芯片等大功率器件的測(cè)試需求。

冠亞恒溫?zé)崃鲀x覆蓋更寬測(cè)試場(chǎng)景，適配-120℃熱流儀相關(guān)需求，可根據(jù)客戶需求定制，進(jìn)一步適配不同場(chǎng)景測(cè)試需求。